第 三 章

[题 3.3] 与非门、或非门、异或门都可以接成反相器使用。输入端的接法如图 A3.3 所示。

[题 3.5] 静态功耗 $ P_{s}=0.01\ mW $，动态功耗 $ P_{D}=1.1\ mW $，总功耗 $ P_{TOT}=1.11\ mW $，电源平均电流 $ \overline{I}_{DD}=0.22\ mA $

[题 3.7] (a) $ Y=(A+B+C)^{\prime} $; (c) $ Y=(AB+CD)^{\prime}(INH)^{\prime} $

[题 3.9] 0.9 k $ \Omega\leq R_{L}\leq31.6 $ k $ \Omega $

[题 3.11] $ Y_{1} $ 为低电平； $ Y_{4} $ 为低电平； $ Y_{5} $ 为低电平。

[题 3.12] $ Y_{1} $ 为高电平； $ Y_{3} $ 为低电平。

[题 3.13] 若与非门输入端多发射极三极管每个发射结导通时的压降均以 0.7 V 计算，则得到

(1) $ v_{12} \approx 1.4 $ V; (2) $ v_{12} \approx 0.2 $ V; (3) $ v_{12} \approx 1.4 $ V; (4) $ v_{12} \approx 0 $ V; (5) $ v_{12} \approx 1.4 $ V.

[题3.16] 门 $ G_{M} $能驱动5个同样的与非门。

[题 3.18] $ R_{1} $ 的最大允许值为 9.8 kΩ, $ R_{2} $ 的最大允许值为 0.2 kΩ

[题 3.20] 0.68 k $ \Omega \leq R_{t} \leq 4.29 $ k $ \Omega $

[题 3.22] 1. $ 1\ k\Omega \leq R_{1} \leq 4.5\ k\Omega $

「題3.24」0.59 kΩ≤R≤18.5 kΩ

[题 3.26] CMOS 或非门输出为低电平时三极管可以截止。但 CMOS 或非门输出为高电平时三极管不能饱和导通，因此电路参数的选择不合理。

[题 3.27] （1）、（4）不行；（2）、（3）、（5）、（6）可以。